法国初创公司Antaios筹集1100万美元用于开发SOT-MRAM，这种存储器有可能取代微处理器和SoC中的嵌入式非易失性存储器和SRAM高速缓存

这家新的自旋-轨道-扭矩(SOT)MRAM初创公司的资金由法国风险投资公司Innovacom和法国Sofimac Innovation牵头，还有应用风险投资有限责任公司(Application Ventures LLC)，后者是芯片制造设备供应商应用材料公司(Application Materials Inc.)的风险投资部门。额外融资还来自法国公共投资银行(Bpifrance Bank)和其他银行合作伙伴。

应用材料公司与ARM有限公司一起，是MRAM技术开发的一大支持者，还向Spin Memory Inc.投资了大量资金。(加利福尼亚州弗里蒙特)。

SOT-MRAM代表了自旋扭矩转移(STT)MRAM的进一步发展。它提供了成为期待已久的通用嵌入式非易失性存储器所需的特殊耐力循环的可能性。

安泰奥斯首席执行官让-皮埃尔·诺齐埃雷斯(Jean-Pierre Nozières)在一份声明中表示，这笔资金对安泰奥斯来说是一个关键的里程碑，它断言了我们技术的价值和业界对SOT作为下一代MRAM的兴趣，这解决了目前实施的局限性，安泰奥斯首席执行官让-皮埃尔·诺齐埃(Jean-Pierre Nozières)在一份声明中表示。

Apple Ventures投资总监迈克尔·斯图尔特(Michael Stewart)已作为观察员加入安泰奥斯董事会。他说：Application Ventures支持MRAM等基于逻辑的嵌入式存储器技术的持续发展，这些技术为物联网和边缘人工智能设备提供低功耗、高性能和高耐久性。

通过同时实现高操作速度和无限读/写耐久性，SOT有可能在微控制器、微处理器和片上系统设计中取代嵌入式非易失性存储器和SRAM高速缓存。

如果SOT-MRAM可以用来在非常靠近逻辑电路和在逻辑电路内的寄存器、触发器、高速暂存存储器中取代SRAM，那么它可能会对处理器如何设计操作产生重大影响。与SRAM存储单元相比，MRAM已经具有非易失性和密度的优势，SRAM存储单元通常使用六个晶体管来实现，但它需要展示出特殊的耐久循环才能在逻辑上应用。