美光公司推出了他们的第五代3D NAND闪存，目前正在批量生产，层数为176层，速度为1600MT/s，高于上一代的128层和1200MT/s

就在闪存峰会召开之际，美光发布了他们的第五代3D NAND闪存，其层数达到了创纪录的176层。新的176L闪存是他们在美光与英特尔的存储合作破裂后开发的第二代闪存，之后美光从浮栅存储单元设计转向电荷捕获单元设计。美光的上一代3D NAND是一个128层的设计，作为一个短暂的过渡节点，让他们解决切换到电荷陷阱闪存的任何问题。美光的128L闪存在市场上的占有率一直很低，因此他们新推出的176L闪存将在很多情况下作为96L 3D NAND的继任者。

美光仍未透露有关其176L NAND的许多技术细节，更多信息计划在本月底公布。但就目前而言，我们知道他们的第一批176L部件是512Gbit TLC管芯，使用两个88层甲板的串叠建造-美光现在似乎在一次可以制造多少层NAND闪存单元方面仅次于三星，而在芯片上的总层数方面显然处于第一位。

改用替代栅极/电荷陷阱单元设计似乎显著降低了层厚度：176L芯片的厚度为45µm，与美光64L浮栅3D NAND的总厚度大致相同。16芯片堆叠封装厚度小于1.5毫米，适合大多数移动和存储卡使用情况。与前几代Micron 3D NAND一样，该芯片的外围逻辑大多是在NAND存储单元堆栈下制造的，美光称之为阵列(CUA)下的CMOS技术。这一再帮助美光提供了一些最小的芯片尺寸，美光估计他们的176L 512Gbit芯片比他们目前提供的最好的芯片小30%左右。

176L NAND支持1600MT/s的接口速度，高于96L和128L闪存的1200MT/s。与96L NAND相比，读取和写入(编程)延迟均提高了35%以上，与128L NAND相比提高了25%以上。美光指出，与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，其总体混合工作负载改善了约15%。

美光的176L 3D NAND已经开始批量生产，并开始在一些关键品牌的消费类SSD产品中发货。然而，美光并没有具体说明哪些关键产品现在使用的是176L NAND(或他们的128L NAND)，所以我们预计目前这是一个相当小的发行量。不过，在接下来的一年里，我们应该会把176L NAND的产量提高到比他们的128L工艺更高的水平，我们可以预计，基于这款176L NAND的一系列产品将发布，并取代大多数使用96L NAND的产品。

发表评论，也许我们最终会得到2TB的SDXC卡，甚至4TB的SDUC卡。4TB将标志着4 GB SDHC卡首次投放市场大约13年。回覆。

层数的实际限制是什么？想知道它可能还会走多远……。回覆。

我们已经接近了使用单层堆叠所能做到的极限了。现在几乎每个人都把3D NAND制作成两层堆叠(串堆叠)，例如。这个是88+88。这意味着很多早期3D NAND需要一次完成的制造步骤现在需要做两次，而且堆栈之间有一个需要正确对准和连接的接口。数百层的每一张路线图都要求对几层甲板进行更多的字符串堆叠，而不是仅仅两层。这使得每个芯片的产能和密度继续增加，但制造成本并没有像从Eg开始的那样大幅增长。32到96层节点。回覆