三星推出了512GB DDR5 RAM模块

三星推出了一个新的RAM模块，可以在速度和容量方面显示DDR5内存的潜力。三星表示，512GB DDR5模块是第一个使用高k金属门（HKMG）TECH的速度，提供7,200 Mbps的速度 - 除了DDR4，Samsung表示。目前，它瞄准了数据饥饿的超级计算，AI和机器学习功能，但DDR5最终将找到常规PC的方式，促进游戏和其他应用。

三星首次使用2018年的HKMG技术，GPU中使用GDDR6芯片。由英特尔开发，它使用铪而不是硅，金属替换正常多晶硅栅电极。所有这些都允许更高的芯片密度，同时减少电流泄漏。

每个芯片使用八层16GB DRAM芯片，容量为128GB，或16GB。因此，三星需要32个以制作512GB的RAM模块。三星表示，三星表示，芯片使用的功率低于非HKMG模块 - 非常适合数据中心，但对于常规PC而言，不太糟糕。

速度为7,200 Mbps，三星＆＃39;最新模块将在单个通道上提供大约57.6 Gb / s的转移速度。在三星＆＃39; S的新闻稿中，英特尔指出，内存将与其下一个Gen＆＃34兼容;蓝宝石Rapids＆＃34; Xeon可扩展处理器。该架构将使用八通道DDR5内存控制器，因此我们可以看到具有高达460 GB / s的内存传输速度的多Terabyte内存配置。同时，当AMD推出其ZEN 4平台时，第一个消费者PC可以在2022年到达，这是传言支持DDR5。