TSMC更新：2nM在开发中，3nm和4nm轨道2022

对于TSMC，是世界上最大的铸造厂，拥有近500名客户的特色。一方面，公司可以使用几乎任何要求的客户端。另一方面，它必须在能力和技术方面保持其他人。就能力而言，台积电是未经充电的，不会多年来来。至于制造技术，TSMC最近重申了它和＃39;它确信其N2，N3和N4流程将按时可用，并且将比竞争节点更先进。

今年年初台积电明显提高了2021美元的支本预算，达到25亿美元 - 280亿美元的范围，进一步增加到30亿美元，作为其三年计划的一部分，以花1000亿美元的制造能力和R＆amp; d。

今年约有80％的台积电＆＃39; S $ 300亿美元的资本预算将在扩大先进技术的能力，如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。来自中国文艺复兴时期证券的分析师认为，大多数先进节点上的资金将用于扩大TSMC＆＃39;在年底之前每月开始110,000〜120,000款晶圆。与此同时，台积电表示将为先进的包装和掩码制作分配10％的CAPEX，而另外10％将用于特种技术（包括定制版本的成熟节点）。

TMSC＆＃39;在英特尔宣布其IDM 2.0战略（涉及内部生产，外包和铸造业务）和大程度重申TMSC＆＃39;在短途方面重申的最新支出徒步旅行公告即使在加强竞争之前，甚至是长期的未来。

＆＃34;作为一名领先的纯Play Foundry，TSMC在我们的30多年历史中从未竞争过于竞争，但我们知道如何竞争，＆＃34;说C.C. TSMC总裁兼首席执行官魏晋，最近与分析师和投资者的电话会议。 ＆＃34;我们将继续专注于提供技术领导，卓越制造和赚取客户＆＃39;相信。最后一点，客户＆＃39;信任，相当重要，因为我们没有与客户竞争的内部产品。＆＃34;

TSMC是第一家在2020年代中期使用其N5（5nm）工艺技术开始高卷制造（HVM）的公司。

最初，该节点仅用于TSMC＆＃39; alpha客户 - Apple和Hisilicon。送货到后者于9月14日停止，将所有领先的领先能力留给苹果。到目前为止，更多的客户准备好了他们的N5设计，因此采用该节点正在增长。与此同时，台积电表示，更多客户计划使用N5系列技术（包括N5，N5P和N4），而不是几个月前预期。

＆＃34; N5已经在其第二年的批量生产中，收益率比我们的原始计划更好，＆＃34;魏先生说。 N5需求持续强劲，由智能手机和HPC应用程序驱动，我们预计N5在2021年的晶圆收入的达到20％的贡献。事实上，我们看到与5纳米和3纳米更多客户的更强大的参与[与类似阶段的7 nm]。订婚是如此强烈，我们必须真正为它做好准备。＆＃34;

对于TSMC，HPC应用程序包括许多不同类型的产品，包括AI加速器，CPU，GPU，FPGA，NPU和视频游戏SOC，只是为了命名几个。自从他们只是一家合同制造商，TSMC没有透露它使用一个节点或另一个节点的产品类型（我们知道它为智能手机/平板电脑/ Stbs构建Apple A14 SoC以及Apple M1 SoC对于PC和平板电脑），但N5采用的事实在HPC段中生长是重要的。

＆＃34;我们预计我们的N5家族的需求将在未来几年内继续增长，这是由智能手机和HPC应用程序的强劲需求驱动，＆＃34;台积道负责人说。 ＆＃34;我们希望看到HPC，不仅在第一波中，而且在额外的需求波浪中，以支持我们将来的领先[N5]节点。＆＃34;

TSMC＆＃39; N5在领先技术的采用者中获得市场份额并不是特别令人惊讶。来自中国文艺复兴时期的分析师估计，TSMC＆＃39; S n5具有大约170万毫米（MTR / mm 2）的晶体管密度，如果准确，则使其成为当今可用的更密集的技术。相比之下，三星＆＃39;铸造架＆＃39; s 5液体可以吹嘘约125 mtr / mm 2〜130 mtr / mm 2，而英特尔＆＃39; s 10 nm特性约为100 mtr / mm 2密度。

在未来几周内，TSMC设置为使用其N5技术的性能增强版本开始制作芯片，其N5技术称为N5P，这承诺将频率提高至5％或将功耗降低至10％（相同的复杂性）。该技术为客户提供无缝的迁移路径，而无需重大工程资源投资或更长的设计周期时间，所以任何带有N5设计的人都可以使用N5P。例如，N5的早期采用者可以重新使用其IP的N5P芯片。

TSMC＆＃39; N5系列技术还包括进化的N4流程，将在今年晚些时候进入风险生产，并将在2022年用于大规模生产。

该技术设定为在N5上提供进一步的PPA（电源，性能，区域）优势，但保持相同的设计规则，设计基础设施，Spice仿真程序和IP。同时，由于N4进一步扩展了EUV光刻工具的使用，因此它还减少了掩模计数，处理步骤，风险和成本。

＆＃34; N4将利用N5的强大基础进一步扩展我们的5个NM家族，＆＃34;魏先生说。 ＆＃34; N4是N5的直接迁移，具有兼容的设计规则，同时为下一个5纳米产品提供进一步的性能，功率和密度增强。 N4风险产量为今年下半年的目标和2022年的产量。＆＃34;

当N4进入2022年的HVM时，台积电将拥有大约两年的N5和三年与EUV经验的经验。因此，期望是产量高，性能可变性承诺低。

但即使是N4的尖端是尖端的，它也不会成为明年TSMC将提供的最先进的制造技术。

2022年，世界＆＃39;最大的芯片的合同制造商将推出其全新的N3制造过程，这将继续使用FinFET晶体管，但预计将提供全包PPA改进。

特别是，与他们当前的N5过程，TSMC＆＃39; S N3承诺将性能提高10％ - 15％（以相同的功率和复杂性）或降低功耗25％ - 30％（以相同的性能和复杂性） ）。所有虽然新节点也将提高晶体管密度，取决于结构（1.1倍为模拟，1.2倍的SRAM，1.7倍为逻辑）。

N3将进一步增加EUV层的数量，但将继续使用DuV光刻。此外，由于该技术不断使用FinFET，因此它不需要新一代的电子设计自动化（EDA）工具从划伤和开发的全新IPS中重新设计，这可能成为三星铸造厂的竞争优势＆＃39; S GaaFet /基于MBCFET的3GAE。

＆＃34; N3将是我们N5的另一个完整节点，并将使用FinFET晶体管结构来为客户提供最佳的技术成熟，性能和成本。魏先生说。 ＆＃34;我们的N3技术发展是良好的进步。与N5和N7相比，我们将继续在N3上看到HPC和智能手机应用程序的更高层次的客户参与。＆＃34;

事实上，TSMC＆＃39;索赔与N3间接电报增长客户参与其对N3的高期望。

＆＃34; [n3]风险生产计划于2021年，＆＃34; TSMC＆＃39;首席执行官。 ＆＃34;在2022年的下半年，批量生产是针对的。我们的N3技术将是PPA和晶体管技术中最先进的铸造技术，介绍。 [...]我们相信我们的[N5]和[N3]都是TSMC的大型和持久的节点。＆＃34;

门 - 全面FET（Gaafets）仍然是TSMC＆＃39; S发展路线图的一部分。该公司预计将使用新的晶体管与其＆＃39;邮局N3＆＃39;技术（概述）。事实上，该公司是下一代材料和晶体管结构的路径查找模式，这些模式将在路上多年使用。

＆＃34;对于高级CMOS逻辑，TSMC的3nm和2nm CMOS节点通过管道进展，＆＃34;该公司最近在年度报告中表示。 ＆＃34;此外，TSMC＆＃39; S加强探索性R＆amp; D工作专注于超越2NM节点，并在3D晶体管，新内存和低R互连等区域上，这是在轨道上建立坚实的基础进入许多技术平台。

值得注意的是，台积电正在扩大R＆amp的能力.D FAB 12的D操作，其中目前正在研究和开发N3，N2和更高级节点。

总体而言，TSMC相信其＆＃34;每个人和＃39;铸造＆＃34;战略将使它在规模，市场份额和销售方面进一步发展。该公司还预计将维持其技术领导力，这是一种衡量增长的关键。

＆＃34;对于2021年的整年，我们现在预测铸造行业增长[AT]约16％，＆＃34; TSMC的Wendell Huang表示，最近与分析师和投资者的电话会议。 ＆＃34;对于台积电，我们相信我们可以优于铸造厂收入增长，并在2021年增长约20％。＆＃34;

该公司拥有强大的技术路线图，它将每年继续引入改进的前沿节点，从而为客户提供可预测的节奏的改进。

台积电知道如何与前沿节点的竞争对手竞争，以及芯片的制造商专注于专业过程技术，因此它没有将英特尔铸造服务（IFS）视为立即威胁，特别是因为蓝巨头主要在领导之后边缘和高级节点。

金融分析师普遍分享TSMC＆＃39;乐观，主要是因为期望公司＆＃39; s n3和n5节点不会有竞争对手提供类似的晶体管密度和晶片开始。

＆＃34;在3月份的英特尔宣布的铸造卷重之后，台积电愿意设定为期3年的1000亿美元的CAPEX / R＆＆＆amp; D投资计划，从2021年开始，它表示拓宽其铸造领导的信心，＆＃34 ;中国文艺复兴证券的分析师Szeho Ng。 ＆＃34;我们看到TSMC与N3 / N5的战略价值：来自HPC /智能手机应用的强大的N5带传递活动以及更多N3客户端参与与类似阶段的N5 / N7。＆＃34;

发表评论台积电告诉英特尔认为没有办法抓住Intel可以抓住它们。 （我想知道N3上的AMD CPU的表现如何与14/10/7 nm的Intel＆＃39; CPU。）回复

英特尔将更好地祈祷中国尽快发动攻击。没有别的东西可以从AMD + TSMC Juggernaut中保存它。回复

在我看来，对英特尔和AMD都有最大的威胁是ARM。不彼此。回复

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