英特尔称新晶体管技术可将芯片性能提高20%

(路透社)-英特尔公司(INTC.O)周四披露了一种在半导体上制造晶体管的新方法，其首席架构师表示，该方法可以将英特尔下一轮处理器的性能提高多达20%。

这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司是世界上为数不多的同时设计和制造自己的芯片的公司之一。但在英特尔上个月表示其下一代芯片制造流程，即所谓的7纳米工艺节点将被推迟后，其制造业务已成为投资者的担忧。

分析师认为，延迟可能会巩固台积电(2330.TW)等竞争对手在制造更小、更节能芯片方面的领先地位。自延迟事件被披露以来，英特尔的股价已经下跌了近20%。

周四，英特尔试图通过披露对其现有10纳米工艺节点的改进，来颠覆这样一种观点，即赋予每一代芯片工艺节点的单一数字名称就能说明整个故事。英特尔宣布了一种制造现在被称为“超级”晶体管的新方法，再加上一种用于改进芯片电容器的新材料，尽管英特尔即将推出的处理器仍在10纳米生产线上生产，但预计将提高其性能。

英特尔首席架构师Raja Koduri在接受路透社采访时谈到性能提升时表示：“这是20%，这是我们历史上最大的节点内跳跃。”“这实际上与使用一个完整的摩尔定律性能节点得到的结果是一样的。”

在英特尔的新芯片问世之前，不可能在现实世界中检验这些说法，但其定于今年秋天发布的“老虎湖”笔记本电脑芯片将使用这些芯片。

Koduri表示，即使采用了新的晶体管技术，英特尔也重新修改了芯片设计流程，以便能够更容易地使用自己的芯片工厂或外部芯片工厂，无论哪种情况需要制造出最好的芯片。

他说：“无论是什么让我们按时交付这些产品，以及领导力的表现，我们都有灵活性，并将利用这一点。”