研究人员成功植入，然后删除了人们的思想中的错误记忆

由亨利L. Roediger III，华盛顿大学，圣路易斯，莫，MO，2021年2月16日批准（收到了2021年1月11日）

自传事件的错误记忆可以在法医设置中产生巨大的问题（例如，错误指控）。虽然多项研究成功地诱导了采访环境中的虚假记忆，但我们借助两种生态有效的策略，我们提出了试图逆转这种影响的研究（从而降低潜在损坏）。我们首先成功地植入了两个合理的自传事件（由学生的父母建议，以及两个真实事件）的错误记忆。在三次重复的采访中，参与者在最微大的暗示条件下（27％）下建议的事件（27％），使用大规模建议（56％），开发了虚假的记忆（通过最先进的编码）。然后，我们使用了两种技术来减少虚假记忆认可，源激发（警告受访者对存储器的可能外部来源，例如，家庭叙述）和虚假记忆敏感（提高虚假记忆的可能性在内存访谈中无意中创建的错误记忆，由A提供新的采访者）。这扭转了前三次访谈的错误内存积累，在建议条件下将假记忆速率返回到第一次访谈的基线水平（即分别为约15％和〜25％）。相比之下，真正的事件记忆以更高的整体级别和更少的受敏感技术的衡量额度。在一个1-y后续（在原来的面试和汇报之后），错误的记忆率进一步下降到5％，并且参与者压倒性地拒绝了虚假事件。一种强大的实际含义是，通过易于实现的技术可以显着减少错误的存储器，而不会导致对真实存储器的抵押品损害。

作者贡献：A.O.，M.M.W.，R.I.和H.B.设计研究; M.M.W.进行研究; A.O.和m.m.w.分析数据; A.O.和H.B.写论文;和m.m.w.和r.i.提供了批判性评论。

查看全文